根据9月3日的报道，台湾《工商时报》今天披露了台积电的最新技术进展，其中涉及到台积电的CoW-SoW封装技术预计在2027年实现量产。这项技术对于提升芯片的良品率至关重要，尤其是对于高端GPU制造商英伟达来说。英伟达为了提高良率，计划对其GPU的顶部金属层和凸点进行重新设计，这个设计的改变对于即将发布的RTX 50系列显卡GPU至关重要，因此可能会影响其上市时间。文章中提到的英伟达Blackwell GPU，被公司CEO黄仁勋形象地描述为“非常非常大的GPU”，这是因为它不仅是目前业界面积最大的GPU，而且还采用了先进的台积电4纳米制程技术，集成了高达2080亿个晶体管。这样的高集成度意味着封装方式将非常复杂，台积电的CoWoS-L封装技术通过LSI桥接RDL来连接不同的芯片，以实现高达10TB/s的传输速度。这种高精度的封装步骤也意味着一旦出现缺陷，就可能导致价值高达4万美元的芯片报废，这不仅影响良率，也直接影响成本。法人透露，GPU芯粒、LSI桥接、RDL中介层和主基板之间的热膨胀系数（CTE）不同，可能导致芯片翘曲和系统故障。因此，英伟达需要重新设计GPU的顶部金属层和凸点，以提高封装良率。这种情况并不仅限于英伟达，随着芯片尺寸的扩大，制造复杂度的增加，所有厂商都将面临类似的挑战。AMD的CEO苏姿丰也指出，未来芯片需要在效能和功耗方面取得突破，以满足AI数据中心对算力的需求。供应链方面的消息也表明，随着大芯片趋势的发展，以及AI对高带宽内存（HBM）的需求增加，台积电计划将InFO-SoW和SoIC技术结合起来，形成CoW-SoW技术，将存储芯片或逻辑芯片堆叠在晶圆上，预计在2027年实现量产。此举将有助于提高芯片的集成度和性能，同时也将应对制造过程中的挑战。
