根据2023年9月3日的报道，韩国媒体etnews透露，三星电子和SK海力士这两大内存制造商正计划在未来几年内将类似HBM（High Bandwidth Memory）的堆叠结构移动内存产品商业化。这一计划预计将在2026年之后实现。这两家公司都认为，这种堆叠式移动内存技术将成为它们未来收入的重要来源，并且有意将其技术应用于智能手机、平板电脑、以及笔记本电脑中，尤其是在支持端侧人工智能应用方面。从三星电子的角度来看，他们开发的产品被称为LPWideI/O内存。这种内存技术采用了宽I/O接口，其位宽高达512bit，是现有LPDDR内存的8倍。这种设计不仅提高了I/O密度和带宽，而且相较于传统的引线键合方式，其I/O密度提升到了8倍，I/O带宽提升了2.6倍。根据三星的时间表，LPWideI/O内存技术预计在2025年第一季度准备好技术层面，下半年至2026年中期开始量产。SK海力士则采取了不同的命名，他们称之为VFO技术。这种技术通过验证样品表明，它可以将导线长度减少到传统内存的四分之一以下，并且能效提升了4.9%。尽管这种方案的散热量增加了1.4%，但其封装厚度成功减少了27%。目前，两家公司均采用了类似的技术策略，即将扇出封装（Fan-Out Package）技术与垂直通道（Vertical Interconnect Access，VIA）结合起来，以实现更高的内存性能。不过，报道也指出，将这些堆叠式移动内存与处理器如何集成还没有明确的定论。目前正在讨论的方案包括类似于HBM的2.5D封装或3D垂直堆叠，这些方法可以帮助在极为紧凑的空间内实现更高的内存带宽。业内人士指出，移动处理器的设计与布局将对堆叠式移动内存的配置和连接方式产生重要影响。这意味着，新一代移动内存可能会根据其合作伙伴的需求进行定制供应。这种技术的推广和应用将有望彻底改变传统的移动DRAM市场格局，为移动设备用户提供更高效、更省电的内存解决方案。
