在2024年异构集成全球峰会上，SK海力士的封装研发副社长李康旭（Kangwook Lee）发表了关于未来人工智能领域内存技术的演讲。他的演讲揭示了公司在高级内存解决方案，尤其是高性能内存堆栈（HBM）技术方面的最新进展。
李康旭副社长提到，SK海力士正在开发的新一代HBM内存技术——HBM4，预计将带来显著的性能提升。他强调了异构集成技术在内存开发中的重要性，这是一项将不同工艺的半导体芯片集成到一个封装中的技术。通过这种技术，SK海力士有望将其第6代HBM4产品的性能推向新的高度。
目前市场上的HBM3E产品，已经能够实现每秒超过1.18TB的数据处理速度，并支持最高36GB的容量。而在HBM4技术中，SK海力士计划推出12层和16层的产品，这些产品的最大容量将达到48GB，数据处理速度将超过每秒1.65TB。
在演讲中，李康旭副社长特别提到了HBM4内存基础芯片上应用逻辑工艺的重要性，这是为了进一步提升性能和能效。SK海力士正与台积电合作开发HBM4，利用台积电的5纳米工艺技术来创建HBM4的基础芯片。这种合作将有助于实现更高效的内存解决方案。
HBM技术的核心在于堆叠多个DRAM芯片，并利用TSV技术将它们垂直连接起来。这种垂直连接方式使得数据传输速度大幅提升，同时基底芯片与GPU的连接也对HBM的性能有直接影响。
李康旭副社长还强调了SK海力士采用的MR-MUF（微热键合多芯片封装）技术的优势，这项技术能够在低粘合压力和温度下实现应用，并且允许批量热处理。与市场上的其他工艺相比，MR-MUF技术在散热性能上具有超过30%的优势。
为了实现16层HBM4产品的批量生产，SK海力士正在准备先进的MR-MUF和混合键合（Hybrid Bonding）技术。这些技术将被用来满足客户的不同需求，并选择最适合的方法。目前，SK海力士已经在使用MR-MU技术批量生产8层和12层的HBM3和HBM3E产品。预计HBM4的12层产品也将采用这项技术，并计划在明年下半年开始出货。
SK海力士不仅在现有的HBM技术上取得了显著进展，还在为HBM4之后的第七代产品HBM4E做准备，显示出公司在高性能内存解决方案领域的长远规划和持续创新。
